疗和预防，减少运动损伤的影响，提高运动表现，保障备战等工作。合同期内需长期驻队，全天24小时服务于队伍运动员伤病诊疗工作。预计采购时间：2024-06备注：本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
出现的非预计性设备损伤等情况，应具备响应的设备设计及加工等能力，能够将设备功能及性能恢复至搬迁前状态。13)完成安装就位后设备的维护工作，更换形成专业的维护保养记录并经甲方确认，须提供维护保养记录表格范例。14)规划搬迁设备目前安装地点：北京航空航天大学学院路校区（不限于十五馆一层、二层、四层、五层
离子能量过高则容易损伤或者刻蚀掉材料，因此采用传统的高能量离子注入设备无法对二维微电子材料进行掺杂。此外，二维微电子器件的结构非常复杂和精密，所以需要精确定点的对特定区域进行掺杂注入。提高注入精度也是微电子器件制造工艺的重大需求。总之，该设备是为微电子专线提精细离子注入掺杂等器件工艺能力的必需设备。
完整、质量合格、无损伤、未使用过的成套系统，未提及的技术要求，应满足所列相关标准的要求。提供的仪器设备测试值必须采用国际单位制，有鉴定合格证书、质量证书。包装箱应牢固可靠，满足长途运输，防潮、防锈、防震、防粗暴装卸，适于陆运和整体吊装，并注明起吊重量和重心位置。并且合同签订后8月内交付使用。 预
面GaN等材料的低损伤及原子层精度刻蚀工艺，设备需同时配套刻蚀金属电极材料，专用于GaN器件研发，可以很好解决交叉污染问题，器件性能更加优异。采购标的数量：1台。以实际公告为准。 预计采购时间： 2024-06 备注： 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情
完整、质量合格、无损伤、未使用过的成套系统，未提及的技术要求，应满足所列相关标准的要求。提供的仪器设备测试值必须采用国际单位制，有鉴定合格证书、质量证书。包装箱应牢固可靠，满足长途运输，防潮、防锈、防震、防粗暴装卸，适于陆运和整体吊装，并注明起吊重量和重心位置。并且合同签订后8月内交付使用。 预
复杂应力作用下腐蚀损伤测试评价，满足水下设施服役安全检测需求。 预计采购时间： 2024-04 备注： 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 ,宁波,中国科学院
19版《国际压力性损伤的临床防治》推荐的支撑面的要求 2、适用于标准病床，可以任意弯曲适配需要的体位 3、规格：长200cm，宽90cm，厚度≥14cm并可根据临床需求定制不同尺寸最大载重≥140KG 4、两侧有防患者坠床设计 5、符合脊柱自然弯曲的人体工程学设计结构，采用3D切割工艺，分区达七区
，且泵源已经出现了损伤，需要采购一套保障SXFEL装置的正常运行。 预计采购时间： 2024-06 备注： 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 ,上海,中国科学院
采购需求概况 ：非损伤微测系统1台，多光谱激光扫描成像仪1台，生物分子相互作用分析系统1套，全自动凝胶成像分析系统1套，三维荧光光谱仪1套，轮转式切片机1台，旋转蒸发仪1台，台式冷冻离心机2台，高速冷冻离心机1台，热带作物分子育种蛋白组学工作站1台，快速湿转仪1台，全能型蛋白转印系统1套，电穿孔仪1
束流损失造成的辐射损伤，降低探测器背景噪声，提高加速器的可维护性和电子设备的稳定性。 组成、数量和技术指标：包括1台初级准直器和4台次级准直器：初级准直器由4组薄钨片及其无氧铜安装基体、运动驱动机构和辐射屏蔽体组成，钨片厚度为0.1mm，采用钎焊的方式与无氧铜基底焊接，再由运动机构来驱动，要求运动精
输过程中可能的机械损伤。(10)运输及储存：运输中严禁从高处扔下装有电缆的电缆盘，严禁机械损伤电缆。吊装时严禁几盘同时吊装，运输时电缆盘必须放稳，用适当方法固定，防止互相碰撞或翻倒。应保存在通风且无有害气体侵蚀的场所。(11)本技术要求中未注明或提及的电缆其他性能须符合相关最新国标要求。投标方需要保
输过程中可能的机械损伤。(10)运输及储存：运输中严禁从高处扔下装有电缆的电缆盘，严禁机械损伤电缆。吊装时严禁几盘同时吊装，运输时电缆盘必须放稳，用适当方法固定，防止互相碰撞或翻倒。应保存在通风且无有害气体侵蚀的场所。(11)本技术要求中未注明或提及的电缆其他性能须符合相关最新国标要求。投标方需要保
无虫蛀、无明显机械损伤；米面、调料、副食须符合国家质量标准，具有产品检验合格证，包装完好，足斤足称；肉类、海鲜保证新鲜，并经过国家检验检疫部门检测合格等； 对方具备各项应急措施，有明确联系人，保证在各市场变化及遇突发事件下，能保证货品数量、质量并能满足食堂原材料供应；对于供应的材料需要提供各类合格票
刻蚀系统凭借低离子损伤，高精度的刻蚀速率控制，最大程度上减小栅介质刻蚀过程对碳纳米管的损伤。利用原子层沉积的模式精确地控制对介质的刻蚀速率，对氧化铪、氧化铝和氧化钇介质薄膜的刻蚀速率达到小于1nm/cycle,实现对高K栅介质的高精度刻蚀,推动碳基集成电路的发展。 预计采购时间： 2024-05
京公网安备 11010802022993号
